1、 分栽高芽。生长三年以上的霍山石斛茎上可长出完整小植株，当小植株具有3—4片叶，3—5条根，根长4—5厘米时，一般在秋季即可从母株上剪下，另行栽植，伤口处用70%代森锰锌可湿性粉剂处理,移栽后喷雾保持较高湿度,温度25℃下进行正常管理。
3、 扦插繁殖。在石斛生长期，每年4—7月，选择未开花且发育完整的当年生茎做插条，将茎剪成几段，每段具有2—3节，伤口用70%代森锰锌涂抹消毒。扦插基质一般用糠类，扦插前给基质喷水，保持湿润但无积水。将茎段的1/2插入基质，茎段顶端向上。扦插后要放置在半阴湿润环境中，湿度25℃下，基质保持半干燥状态，1周内不浇水，经常喷雾，保持湿润，1—2月后节部即萌发新芽并长出新根，形成新植株。
4、离体组织培养繁殖：此方法一般用于有条件的无菌组培室进行，不做详述。霍山石斛目前主要繁育方式是人工组培，出芽多，成苗快，可用于大面积种植也可以用于家庭种植。
