1、库：Simscape / Foundation Library / Electrical / Electrical Elements如下图所示。
2、说明这个模块允许你用非线性掺杂剂漂移的方法来模拟一个理想的记忆电阻器。忆阻器的行为与电阻类似，只是它的电阻（也称为忆阻）是通过器件的电流的函剞麽苍足数。记忆电阻由两种状态定义，A和B，在给定的时间内，器件的一部分处于其中一种状态。非线性掺杂剂漂移模型用以下方程描述：
3、其中详细信息如下图所示。
4、窗口功能是，如下图所示。其中p是一个正整数。当ξ接近0或1时，对该函数进行修改，以提高数值稳定性。
5、变量要在仿真之前设醅呓择锗置块变量的优先级和初始目标值，请使用“块”对话框中的“变量”选项卡（或“块特性检查器”中的“变量”部分）。有关详细信息，请参见设置块变量的优先级和初始目标。
6、+—正极端子电气与记忆电阻器正极端子相关的电气保存端口。- —负极端子电气与记忆电阻器负极端子相关的电气保存端口。
7、A态电阻-A态全记忆电阻器1Ω（默认）|正标量如果整个记忆电阻器处于状态A，即ξ=1时的电阻。该值应大于0。
