1、芯片级ESD测试大致分成两大类:晶圆级的测试和芯片级的测试。这些测试需要用到探针台。
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2、晶圆就是还没有封装的芯片。利用探针台里的探针去扎晶圆上的测试窗口,完成测试。
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3、芯片级的测试就是利用探针台里的探针去接触封装好的芯片。由于探针比较细比较脆弱,因此要格外小心不要在接触过程中碰坏探针。
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4、通过TLP测试可以得到芯片的电流电压特性曲线,通过这些曲线可以得到芯片的钳位电压和动态电阻,一次击穿电压和二次击穿电压等等信息,分析这些数据可以有效的帮助我们检测芯片的ESD能力。
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5、除了可以得到电流电压曲线,TLP测试还提供漏电流曲线,通过这条曲线可以看出失效电流。通过一个简单的计算公式,可以近似得到HBM的失效电压:V=I*1500ohm。
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6、TLP测试根据上升电流和脉宽的时间分成普通TLP和VF(very fast犬匮渝扮)-TLP。普通TLP(上升时间10ns,癔布泻两脉宽100ns)可以跟HBM模型相比,而VFTLP(上升时间~0.1ns,脉宽~5ns)与CDM有相关性。如果没有HBM和CDM测试仪器,可以考虑用TLP测试代替。